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沉痛！中國(guó)半導(dǎo)體硅材料奠基人梁駿吾逝世

作者：羅靈姣　日期：2022-06-26 08:43:01　點(diǎn)擊數(shù)：
6月23日，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所發(fā)布訃告：中國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、我國(guó)著名半導(dǎo)體材料學(xué)家梁駿吾先生因病醫(yī)治無(wú)效，不幸于2022年6月23日17時(shí)在北京逝世，享年89歲。

沉痛！中國(guó)半導(dǎo)體硅材料奠基人梁駿吾逝世(圖1)



梁駿吾，1933年9月18日出生，湖北武漢人。1955年畢業(yè)于武漢大學(xué)，1956年至1960年在蘇聯(lián)科學(xué)院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學(xué)位，1960年獲技術(shù)科學(xué)副博士學(xué)位。1997年當(dāng)選為中國(guó)工程院院士。曾任中國(guó)電子學(xué)會(huì)半電子材料學(xué)分會(huì)主任、名譽(yù)主任。

梁駿吾是我國(guó)從事硅材料研究的元老級(jí)專家，在20世紀(jì)60年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964年制備出室溫激光器用GaAs液相外延材料。1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無(wú)位錯(cuò)、無(wú)旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。上世紀(jì)80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問(wèn)題。90年代初研究MOCVD生長(zhǎng)超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國(guó)超晶格量子阱材料推進(jìn)到實(shí)用水平。

目前90％以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品使用硅基材料制造。半導(dǎo)體硅片是半導(dǎo)體制造的核心材料，亦是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，約占半導(dǎo)體制造材料的三分之一。半導(dǎo)體硅片又稱硅晶圓片，是制作集成電路的重要材料，通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成集成電路和各種半導(dǎo)體器件。


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